当前位置: 【ISSCC】Cell采用SOI和应变硅，栅长46nm
【日经BP社报道】索尼集团、美国IBM和东芝联合开发的微处理器“Cell”的有关工艺技术详情已在日前举行的“2005年国际固体电路会议（ISSCC 2005）”上公布。该处理器采用的栅长46nm的晶体管应用了SOI（silicon on insulator，绝缘体上外延硅）技术和应变硅技术。
SOI技术为部分空乏型（Partially Depleted），采用粘贴或SIMOX（注氧分离）晶圆。应变硅技术则应用名为“Dual Stress Liner（DSL）”的工艺所产生的应变作用。有关DSL的详情已在2004年12月召开的“2004年国际电子元件会议（IEDM 2004）”上发表过。
栅长为46nm，栅绝缘膜使用SiON，以SiO2换算的膜厚为1.05nm。逻辑电路使用2个不同的阀值电压。布线为8层铜布线，其中的低介电率（low-k）膜采用了CVD法形成的SiOC。
生产基地目前包括IBM位于美国东费希基尔的300mm生产线和索尼集团位于日本长崎的“Fab2”。而且还在探讨在日本大分TS半导体（OTSS）进行生产的可行性，但目前尚未确定。（记者：木村 雅秀）
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| IBM的James A. Kahle手持300mm晶圆的IBM |
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| CELL工艺详情已经公布 |